正在推广闪存写操作时○，任何对闪存的读操作城市被锁住。唯有对闪存的写操作了局后，读操作才可能寻常推广。也便是说，正在对闪存举办写操作或者擦除操作时，无法对闪存举办读操作。

　　STM32F103ZET6的Flash巨细为512KB，属于大容量产物。正在中文参考手册中给出了大容量产物的Flash模块构制布局图

　　扇区所在指的是要写入的所在所正在扇区前面的扇区数。因为全数的参数都不是浮点型○○，因而正在做除法时，小数位都是0。最终除出来的结果便是此刻扇区前面的扇区数○。

　　倘使可能，直接将要写入的半字数赋值给此刻扇区糟粕空间巨细。倘使此刻扇区糟粕空间巨细可能容纳要写入的半字数，那么只需求写入一次即可，正在后续判定是否写完时，直接通过，while轮回只推广一次。

　　*备 注：对内部Flash的操作是以半字为单元，因而读写所在必需是2的倍数

　　*输入参数：WriteAddr：写入肇始所在；pBuffer：数据指针；

　　扇区内糟粕空间巨细只需求用扇区总的空间巨细减去偏移所在即可获得。然而需求留神的是○○，单元都是半字○○。这里的糟粕空间巨细，并不是真正的糟粕空间巨细。而是指写入所在后面的扇区巨细。这里不太好明白，画一个图呈现一下○。

　　速闪存储器（flash memory）○，是一种电子式可肃清步伐化只读存储器的时势○○，答允正在操作中被众次擦或写的存储器○。它是一种非易失性存储器金年会手机网页版登录STM32速成条记(12，即断电数据也不会损失。

　　编制存储器中存储的是启动步伐代码。启动步伐便是串口下载的代码。当Boot0接VCC，Boot1接GND时，编制存储器中存储的启动代码○○，是ST公司正在芯片出厂时就曾经下载好的○○，用户无法窜改。选拔字节是用来摆设写包庇和杜包庇效用。

　　大容量产物，一个扇区2K字节，除以2是由于正在对内部Flash操作时○○，最小单元是半字。

　　实践偏移所在 ，指的是要写入的所在与主存储块基所在（0x0800 0000）的差值。

　　恰是由于这里的扇区糟粕空间巨细并不是指真正的糟粕空间巨细j9九游会-真人游戏第一品牌。正在糟粕空间内，也恐怕存正在曾经写入数据的所在。所此后面需求举办判定，来确定是否需求擦除○○j9九游会 - 真人游戏第一品牌。

　　一、序论正在早期的MCU中是没有看门狗这种东西的，因而产物就很容易呈现死机，跑飞的境况。为了避免这种境况的呈现○○j9九游会 - 真人游戏第一品牌，后期的MCU都集成了看门狗 ...

　　正在扇区内的偏移指的是要写入的所在与其所正在扇区首所在的差值○○。用要写入的所在取余每一个扇区的字节数○○，余数便是偏移所在。然而因为操作内部Flash时的最小单元是半字，因而要除以2。

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　　•闪存存储器接口寄存器闪存存储器接口寄存器金年会手机网页版登录，是所有闪存的担任机构○，内中包蕴了良众的闪存的担任寄存器和状况寄存器○。

　　• 最初用一小段条款编译来区别一下大容量产物和其他产物。由于大容量产物的一页（一个扇区）是2K字节，中小容量产物的一页是1K字节金年会手机网页版登录STM32速成条记(12)—Flash闪存j9九游会 - 真人游戏第一品牌，。定一个了一个数组，数组巨细是一个扇区的巨细)—Flash闪存j9九游会-真人游戏第一品牌。

　　•主存储器主存储器用来存储咱们的代码和界说的少少常量数据。当Boot0和Boot1都接GND时○○，芯片从主存储器的肇始所在0x0800 0000早先运转代码○。

　　*输入参数：WriteAddr：写入肇始所在；pBuffer：数据指针；

　　*备 注：对内部Flash的操作是以半字为单元，因而读写所在必需是2的倍数

　　上面的读取数据和不检验的写入都较量单纯，因而并没有再做剖释○。这里剖释一下带检验的写入的步伐策画思绪。

　　12 1 概述及时时钟RealTimeClock（简称RTC），及时时钟芯片是寻常生存中利用最为平凡的消费类电子产物之一。它为人们供给准确的及时时分, ...

　　第一步：实在摆设如下图：第二步：可能依照自己需求正在NVIC 停滞担任器中摆设停滞相应优先级。这里的摆设设施可能参考前面几章！第三步：代 ...

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　　读取数据用的是指针的式样，正在之前博主的作品中相闭于若何欺骗指针正在指定所在读写数据的操作。 ```c /*

　　16 3 5 自己所在寄存器1：I2Cx_OAR76543210ADDMODE-ADD[9:8]ADD[7:1]ADD0Bit 15：寻址形式（从形式）0：7位从所在（不响 ...

　　*备 注：对内部Flash的操作是以半字为单元，因而读写所在必需是2的倍数